財聯(lián)社8月29日訊（編輯 周子意）全球第二大存儲芯片制造商SK海力士周四（8月29日）表示，已開發(fā)出業(yè)界首款第六代10納米級動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）芯片，該芯片的功耗比舊型號更低、能效則更高。

SK海力士在一份聲明中表示，這款DRAM芯片名為1c 16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10納米工藝。

據介紹，此次1c 16Gb DDR5芯片將主要用于高性能數據中心，其運行速度為8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代相比速度提高了11%；此外該芯片還比前一代的能效提高了9%以上。

該公司還表示，在當前人工智能蓬勃發(fā)展的時期，這可以幫助數據中心減少多達30%的電力成本。

此次的1c工藝是以1β工藝為基礎，1β工藝就是上一代DRAM芯片采用的第五代10納米技術，其以最佳性能的DRAM而廣受贊譽的。為了減少在推進過程中產生的潛在錯誤，并以最有效的方式轉移1β的優(yōu)勢，該公司擴展了1β的DRAM平臺以開發(fā)1c。

公司聲明中寫道，“公司以第五代（1β）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發(fā)展?！?/p>

DRAM開發(fā)部門負責人Kim Jonghwan表示，“1c工藝技術兼?zhèn)渲罡咝阅芎统杀靖偁幜Γ緦⑵鋺糜谛乱淮鶫BM1、LPDDR62、GDDR73等最先進DRAM主力產品群，由此為客戶提供差別化的價值?！?/p>